NextGO Epi

NextGO Epi là startup công nghệ sâu, thành lập năm 2025, tách ra (spin-off) từ Viện Leibniz về Tăng trưởng Tinh thể (IKZ) tại Berlin, Đức, chuyên phát triển tấm bán dẫn epitaxy gallium oxide (Ga2O3) cho linh kiện bán dẫn công suất thế hệ mới. Đội sáng lập có hơn mười năm kinh nghiệm nghiên cứu gallium oxide và sở hữu hai bằng sáng chế quốc tế về quy trình nuôi tinh thể.

Công ty nuôi lớp epitaxy Ga2O3 đường kính tới 4 inch bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học kim loại hữu cơ (MOCVD), được giám sát bởi hệ thống AI tự phát triển để kiểm soát tốc độ tăng trưởng, pha tạp và tính chất quang trong quá trình sản xuất. Tấm epiwafer sau xử lý được chế tạo thành linh kiện công suất cùng đối tác công nghiệp, phục vụ sạc xe điện, biến tần năng lượng tái tạo, trung tâm dữ liệu AI và hệ thống RF/cảm biến quang.

1. Epiwafer Ga2O3: Sản xuất tấm epitaxy gallium oxide đường kính tới 4 inch cho linh kiện bán dẫn công suất.

2. Nuôi tinh thể MOCVD: Dùng phương pháp lắng đọng hơi hóa học kim loại hữu cơ để tạo lớp epitaxy hoạt động điện.

3. Giám sát bằng AI: Áp dụng hệ thống AI giám sát tại chỗ để kiểm soát pha tạp và tính chất quang khi nuôi tinh thể.

4. Thử nghiệm linh kiện: Chế tạo epiwafer thành linh kiện công suất cùng đối tác phòng sạch để kiểm tra độ tin cậy.

5. Ứng dụng mục tiêu: Phục vụ sạc xe điện, năng lượng tái tạo, trung tâm dữ liệu AI và RF/cảm biến quang.

6. Quy trình có bằng sáng chế: Xây dựng trên hai bằng sáng chế quốc tế từ hơn một thập kỷ nghiên cứu gallium oxide.