Transistor công suất GaN dọc của Vertical Semiconductor

Vertical Semiconductor là công ty tách ra từ MIT, do CEO Cynthia Liao, CTO TS. Joshua Perozek và GS. Tomas Palacios đồng sáng lập, dựa trên nghiên cứu của nhóm Palacios tại MIT. Công ty phát triển điện tử công suất gali nitrua (GaN) dọc cho trung tâm dữ liệu AI và hạ tầng lưới điện, nơi linh kiện GaN ngang khó mở rộng lên điện áp hoặc dòng điện cao hơn.

Trong transistor GaN dọc, dòng điện chạy xuyên qua linh kiện thay vì dọc bề mặt, tạo một nền tảng duy nhất mở rộng từ 40 V tới 2,3 kV với tần số chuyển mạch cao hơn và nhiệt trở thấp hơn. Linh kiện được chế tạo trên wafer 8 inch bằng quy trình CMOS silic tiêu chuẩn, và công ty đang chuyển từ giai đoạn gửi mẫu linh kiện đóng gói sang giải pháp bộ chuyển đổi nguồn tích hợp. Khách hàng mục tiêu là đơn vị vận hành trung tâm dữ liệu AI và nhà sản xuất hệ thống nguồn chuyển sang kiến trúc 800 VDC, cùng nhà cung cấp thiết bị lưới điện.

• Transistor GaN dọc: dòng điện chạy xuyên die để mở rộng điện áp và dòng điện.
• Nền tảng dải điện áp rộng: một công nghệ từ 40 V tới 2,3 kV.
• Sản xuất 8 inch: chế tạo bằng quy trình CMOS silic tiêu chuẩn.
• Nguồn trung tâm dữ liệu: bộ chuyển đổi cho kiến trúc 800 VDC từ lưới tới chip.
• Hệ thống lưới điện: hệ thống công suất bán dẫn nhỏ gọn cho phát điện tại chỗ và kết nối lưới.
• FinFET GaN dọc: mở rộng trên đế kỹ thuật để tăng hiệu năng.

Nhà phát triển trung tâm dữ liệu tại Việt Nam có thể thí điểm khối nguồn GaN dọc để lắp thêm máy chủ AI trong giới hạn công suất lưới cố định. Nhà sản xuất bộ nguồn phục vụ khách hàng hyperscale có thể đồng phát triển bộ chuyển đổi 800 VDC. Nhà cung cấp thiết bị lưới điện có thể đánh giá hệ thống bán dẫn nhỏ gọn cho trạm biến áp khu công nghiệp.

Công ty công bố hiệu suất năng lượng cao hơn tới 30% và diện tích bộ nguồn nhỏ hơn tới 50% cho rack trung tâm dữ liệu AI, giải phóng không gian và điện năng cho tính toán. Một nền tảng GaN dọc bao phủ từ 40 V tới 2,3 kV, đơn giản hóa việc mua sắm từ lưới điện tới chip. Sản xuất trên wafer 8 inch với quy trình silic tiêu chuẩn hỗ trợ mở rộng với chi phí hợp lý. Nhiệt trở thấp hơn giúp làm mát dễ hơn trong khối nguồn mật độ cao.

Trung tâm dữ liệu AI đang chuyển sang phân phối điện 800 VDC và cần chuyển đổi nguồn mật độ cao, hiệu quả hơn, trong khi kết nối lưới điện đang trở thành điểm nghẽn. Đông Nam Á, trong đó có Việt Nam, đang thu hút đầu tư trung tâm dữ liệu lớn với ngân sách điện hạn chế, khiến chuyển đổi nguồn hiệu quả trở thành tiêu chí lựa chọn quan trọng.

Tách ra từ MIT, đồng sáng lập bởi Cynthia Liao, Joshua Perozek và Tomas Palacios. Tháng 10/2025 gọi vốn hạt giống 11 triệu USD do Playground Global dẫn dắt, cùng JIMCO Technology Ventures, milemark capital và Shin-Etsu Chemical (Nhật Bản). Tháng 10/2026 ký thư ý định với Bộ Thương mại Mỹ về khoản tài trợ CHIPS 73 triệu USD; khoản tài trợ chưa được chốt chính thức.