MOSFET và module công suất SiC thế hệ 3 QSiC của SemiQ

SemiQ Inc. có trụ sở tại Lake Forest, California (Mỹ), thiết kế, phát triển và cung cấp linh kiện bán dẫn công suất cacbua silic (SiC) và wafer epitaxy SiC 150 mm cho ứng dụng điện áp cao. Công ty phục vụ nhà sản xuất thiết bị điện tử công suất trong năng lượng mặt trời, sạc xe điện, ô tô, lưu trữ năng lượng, y tế và trung tâm dữ liệu.

Dòng sản phẩm QSiC gồm MOSFET và diode SiC rời, module MOSFET và diode, và die trần. MOSFET 1200 V thế hệ 3 giảm điện trở dẫn riêng và tổn hao ngắt tới 30% so với thế hệ trước, có dạng module co-pack SOT-227 xuống tới 7,4 mOhm và module S3 nửa cầu, B2T1 six-pack và B3 full-bridge với dòng tới 608 A. Mọi linh kiện đều được sàng lọc bằng burn-in oxit cổng ở mức wafer trên 1400 V.

• MOSFET SiC Gen3: linh kiện 1200 V giảm tới 30% điện trở dẫn riêng và tổn hao ngắt.
• Module SOT-227: module co-pack cách ly từ 7,4 tới 80 mOhm, có hoặc không có diode Schottky.
• Module dòng lớn: S3 nửa cầu tới 608 A, B2T1 six-pack và B3 full-bridge.
• Sàng lọc độ tin cậy: burn-in oxit cổng mức wafer trên 1400 V và thử nghiệm avalanche.
• Diode SiC: diode Schottky rời, dạng module và die trần.
• Epitaxy: cung cấp wafer epitaxy SiC 150 mm.

Nhà sản xuất bộ sạc xe điện Việt Nam có thể dùng module S3 nửa cầu cho bộ sạc nhanh DC 1200 V. Đơn vị tích hợp điện mặt trời và lưu trữ pin có thể chế tạo biến tần hiệu suất cao hơn với module SOT-227. Nhà sản xuất biến tần công nghiệp có thể thay module IGBT để giảm tổn hao trong truyền động động cơ.

Điện trở dẫn và tổn hao chuyển mạch thấp hơn giúp tăng hiệu suất bộ chuyển đổi trong bộ sạc, biến tần mặt trời và bộ nguồn máy chủ. Burn-in mức wafer trên 1400 V và thử nghiệm avalanche giảm rủi ro hỏng hóc khi vận hành. Vỏ tiêu chuẩn như SOT-227 và S3 62 mm cho phép nâng cấp trực tiếp từ thiết kế IGBT silicon. Nhiệt trở tiếp giáp tới vỏ thấp tới 0,07 C/W giúp làm mát đơn giản hơn.

Nhu cầu SiC được thúc đẩy bởi sạc nhanh xe điện, biến tần năng lượng mặt trời và lưu trữ, cùng nguồn điện cho trung tâm dữ liệu AI, đều cần khóa điện áp cao tổn hao thấp. Các nước Đông Nam Á trong đó có Việt Nam đang mở rộng hạ tầng điện mặt trời, lưu trữ và sạc, và nhà sản xuất thiết bị trong nước ngày càng thiết kế với module SiC.

Trụ sở tại Lake Forest, California. Hệ thống chất lượng đạt AS 9100 và ISO 9001:2015, tuân thủ RoHS và REACH. Ra mắt module SOT-227 Gen3 vào tháng 4 và tháng 11/2025, module dòng lớn S3, six-pack và full-bridge vào tháng 12/2025. Sản phẩm bán qua các nhà phân phối như Mouser và Digi-Key, có đại diện tại châu Âu và châu Á.