Wafer epitaxy GaN-on-SiC QuanFINE của SweGaN

SweGaN AB là công ty công nghệ sâu của Thụy Điển, thành lập năm 2014, tách ra từ nhóm nghiên cứu của GS. Erik Janzén tại Đại học Linköping, với đồng sáng lập TS. Jr-Tai Chen. Trụ sở tại Linköping, công ty thiết kế, phát triển và sản xuất wafer epitaxy gali nitrua trên cacbua silic (GaN-on-SiC) cho điện tử RF và công suất, và vận hành nhà máy mới tại Innovative Materials Arena từ năm 2024.

Công nghệ QuanFINE đã đăng ký sáng chế tạo cấu trúc GaN-on-SiC không lớp đệm, loại bỏ lớp đệm GaN dày dùng trong wafer epitaxy thông thường, giúp cải thiện tản nhiệt và hiệu suất linh kiện. SweGaN cung cấp wafer epitaxy 150 mm thiết kế theo yêu cầu khách hàng, dịch vụ epi theo đơn đặt hàng, phân tích vật liệu, gia công linh kiện và R&D chung. Khách hàng là IDM, xưởng đúc, công ty chip fabless và nhà sản xuất hệ thống trong viễn thông, quốc phòng, thông tin vệ tinh và nguồn trung tâm dữ liệu.

• QuanFINE: cấu trúc epitaxy GaN-on-SiC không lớp đệm đã có bằng sáng chế.
• Wafer epi 150 mm: wafer GaN-on-SiC cho sản xuất linh kiện RF và công suất.
• Epi theo yêu cầu: thiết kế vật liệu riêng cho quy trình của từng khách hàng.
• Dịch vụ đối tác: phân tích vật liệu, gia công linh kiện và đo đặc tính.
• Linh kiện công suất: epi cho khóa điện áp cao trong xe điện và trung tâm dữ liệu.
• Linh kiện RF: epi cho bộ khuếch đại công suất 5G, 6G, radar và vệ tinh.

Nhà sản xuất thiết bị viễn thông Việt Nam phát triển khối vô tuyến 5G có thể mua wafer epi GaN-on-SiC cho chip khuếch đại công suất. Trường đại học hoặc viện nghiên cứu có thể hợp tác R&D về linh kiện công suất GaN. Xưởng đúc trong khu vực có thể kiểm định wafer QuanFINE cho sản xuất khóa công suất điện áp cao.

Epitaxy không lớp đệm giảm nhiệt trở, giúp nhà sản xuất chip chế tạo transistor GaN chạy mát hơn và cho công suất lớn hơn. Cấu trúc epi thiết kế theo khách hàng cho phép nhà thiết kế linh kiện tinh chỉnh vật liệu theo quy trình RF hoặc công suất. Dịch vụ đối tác về phân tích, gia công và đo đặc tính rút ngắn chu kỳ phát triển. Năng lực sản xuất mở rộng tại Linköping hỗ trợ đơn hàng số lượng lớn.

Nhu cầu GaN-on-SiC tăng cho trạm gốc 5G và 6G, radar, đường truyền vệ tinh và nguồn hiệu suất cao cho trung tâm dữ liệu, trong khi nhà sản xuất linh kiện tìm nguồn epi đa dạng hơn. Các nhà sản xuất chip châu Á, trong đó có công ty RF Hàn Quốc, đã hợp tác với nhà cung cấp epi châu Âu, và các nhà sản xuất thiết bị viễn thông Việt Nam đang phát triển sản phẩm vô tuyến 5G trong nước vốn dùng bộ khuếch đại công suất GaN.

Thành lập năm 2014, tách ra từ Đại học Linköping, trụ sở tại Linköping (Thụy Điển). Gọi vốn Series A 12 triệu EUR năm 2022 và Series B 14 triệu USD tháng 8/2026 do Thisbe AB và North Ventures dẫn dắt, tổng vốn 41 triệu USD. Cổ đông gồm Navigare Ventures. Hợp tác chiến lược với công ty RF Hàn Quốc RFHIC năm 2024 và hợp tác 6G với Ericsson, Saab và Chalmers năm 2025.