Wafer epitaxy GaN-on-Si cho linh kiện công suất của Enkris

Suzhou Enkris Semiconductor Co., Ltd. được TS. Trình Khải (Cheng Kai), người đi đầu trong epitaxy gali nitrua trên silic (GaN-on-Si), thành lập tháng 3/2012 tại Khu công nghiệp Tô Châu (Trung Quốc). Công ty sản xuất wafer epitaxy GaN để nhà sản xuất chip chế tạo linh kiện công suất, RF và quang điện tử mà không phải tự nuôi lớp vật liệu.

Với điện tử công suất, Enkris cung cấp wafer epi GaN-on-Si kích thước 100, 150, 200 và 300 mm, cấu trúc HEMT chế độ nghèo và chế độ tăng cường với điện áp đánh thủng từ 200 V tới 1200 V, cùng cấu trúc tùy biến. Công ty còn cung cấp wafer GaN trên sapphire và trên silic cho nguồn phát từ UVC tới đỏ, GaN đủ màu cho màn hình micro-LED và sản phẩm kết nối quang micro-LED. Khách hàng là nhà sản xuất linh kiện công suất, xưởng đúc và công ty màn hình, module quang.

• Epi GaN-on-Si công suất: wafer 100 tới 300 mm cho HEMT công suất.
• Chế độ linh kiện: cấu trúc chế độ nghèo và chế độ tăng cường.
• Dải điện áp: điện áp đánh thủng từ 200 V tới 1200 V.
• Epi quang điện tử: GaN trên sapphire và trên silic cho nguồn phát UVC tới đỏ.
• Micro-LED: dòng GaN đủ màu và sản phẩm kết nối quang micro-LED 1,6 GHz.
• Epi tùy biến: cấu trúc riêng theo quy trình linh kiện của khách hàng.

Công ty thiết kế chip Việt Nam phát triển transistor công suất GaN có thể mua wafer epi để chạy mẫu tại xưởng đúc đối tác. Trường đại học hoặc viện nghiên cứu có thể dùng wafer GaN-on-Si tiêu chuẩn cho nghiên cứu linh kiện công suất. Nhà sản xuất màn hình hoặc module quang có thể đánh giá epi micro-LED cho sản phẩm AR và kết nối quang.

Nhà sản xuất chip có thể mua wafer epi GaN sẵn thay vì đầu tư dây chuyền nuôi MOCVD, rút ngắn thời gian đưa linh kiện công suất GaN ra thị trường. Kích thước wafer tới 300 mm tương thích thiết bị xưởng silic và giúp giảm chi phí trên mỗi die. Cấu trúc chế độ nghèo và tăng cường từ 200 V tới 1200 V bao phủ từ bộ sạc tới ứng dụng công nghiệp và ô tô. Thiết kế epi tùy biến hỗ trợ quy trình linh kiện khác biệt.

Linh kiện công suất GaN đang chuyển sang đế silic 200 mm và 300 mm để giảm chi phí cho bộ sạc, nguồn trung tâm dữ liệu và ô tô, và chuỗi cung ứng đang chuẩn hóa thông số epi GaN. Các nhà sản xuất chip châu Á chiếm phần lớn sản lượng linh kiện GaN, và lĩnh vực đóng gói và thiết kế chip mới nổi của Việt Nam có thể khai thác nhà cung cấp epi trong khu vực cho các dự án linh kiện công suất tương lai.

Thành lập tháng 3/2012 tại Khu công nghiệp Tô Châu bởi TS. Trình Khải. Gọi vốn Series B+ năm 2022 do Goertek Microelectronics dẫn dắt, sau đó Series C và C+ năm 2022 và 2023, mỗi vòng vài trăm triệu nhân dân tệ. Ký hợp tác GaN 12 inch với Dongwei Semiconductor tháng 10/2025 và chủ trì tiêu chuẩn quốc gia Trung Quốc về wafer epi GaN-on-Si cho HEMT công suất ban hành tháng 10/2026. Hợp tác nghiên cứu với CPES của Virginia Tech.