Wafer GaN và linh kiện công suất RF của AGNIT

AGNIT Semiconductors Pvt. Ltd. là công ty bán dẫn gali nitrua (GaN) mô hình fab-lite đặt tại Viện Khoa học Ấn Độ (IISc), Bangalore, dựa trên hơn 17 năm kinh nghiệm nghiên cứu GaN của IISc. Công ty thiết kế và phát triển wafer, linh kiện và module GaN cho thị trường chiến lược, viễn thông và chuyển đổi công suất, nhằm tạo nguồn chip GaN trong nước cho Ấn Độ.

Danh mục gồm wafer epitaxy GaN, linh kiện RF GaN như bộ khuếch đại công suất mật độ công suất cao, băng thông rộng và tuyến tính tốt, cùng bo mạch đánh giá. Sản phẩm theo cách tiếp cận P.A.C.E. (công suất cao, giá hợp lý, nhỏ gọn, hiệu quả) để tối ưu kích thước, khối lượng, công suất và chi phí, với hơn 20 bằng sáng chế và chứng nhận ISO 9001:2015. Khách hàng là nhà sản xuất hệ thống quốc phòng, hạ tầng viễn thông và vệ tinh.

• Wafer GaN: wafer epitaxy GaN cho chế tạo linh kiện.
• Linh kiện RF GaN: bộ khuếch đại công suất mật độ cao, băng thông rộng và tuyến tính tốt.
• Bo mạch đánh giá: bo mạch để thử linh kiện trong hệ thống của khách hàng.
• Thiết kế P.A.C.E.: tối ưu SWaP-C theo hướng công suất cao, giá hợp lý, nhỏ gọn và hiệu quả.
• Phòng thử nghiệm: buồng môi trường từ -60 C tới 125 C và hệ thống RF load-pull tại IISc.
• Sở hữu trí tuệ và chất lượng: hơn 20 bằng sáng chế và hệ thống chất lượng ISO 9001:2015.

Nhà sản xuất thiết bị viễn thông Việt Nam có thể đánh giá bộ khuếch đại công suất GaN của AGNIT cho khối vô tuyến 5G. Đơn vị phát triển vệ tinh hoặc trạm mặt đất có thể dùng linh kiện RF GaN trong máy phát. Viện nghiên cứu có thể mua wafer GaN cho nghiên cứu linh kiện chung.

Bộ khuếch đại công suất GaN có mật độ công suất và hiệu suất cao hơn linh kiện silic hoặc GaAs, giảm kích thước và nhu cầu làm mát của khối vô tuyến. Chuỗi cung ứng trong nước của Ấn Độ từ wafer tới linh kiện cho bên mua trong lĩnh vực chiến lược thêm một nguồn cung ngoài các nhà cung cấp truyền thống. Bo mạch đánh giá giúp tích hợp hệ thống nhanh hơn. Phòng thử nghiệm và kiểm định riêng tại IISc rút ngắn thời gian đo đặc tính và kiểm tra độ tin cậy.

Chính phủ các nước châu Á đang xây dựng năng lực bán dẫn hợp chất trong nước cho điện tử viễn thông, vệ tinh và quốc phòng, và GaN là công nghệ chính cho khối vô tuyến công suất cao. Việt Nam cũng đang đầu tư vào thiết bị viễn thông, vệ tinh và thiết kế chip trong nước, tạo nhu cầu linh kiện GaN từ nhà cung cấp trong khu vực.

Đặt tại Innovation Centre, FSID, Viện Khoa học Ấn Độ, Bangalore. Đã huy động khoảng 60 crore INR từ 3one4 Capital và Zephyr Peacock cùng Lakshmi Narayanan. Nhận giải IEEE Bangalore Section Technology Startup Award 2025 và lập phòng thử nghiệm GaN trị giá 3 crore INR tại IISc tháng 6/2026. Đạt chứng nhận ISO 9001:2015.