IC công suất GaN ICeGaN của CGD

Cambridge GaN Devices (CGD) là công ty bán dẫn fabless tách ra từ Đại học Cambridge năm 2016, do GS. Florin Udrea và TS. Giorgia Longobardi sáng lập. Công ty thiết kế và bán transistor và IC gali nitrua (GaN) giúp thiết bị điện tử công suất tiết kiệm năng lượng hơn, có văn phòng tại Cambridge (Anh) và Tân Bắc (Đài Loan).

Công nghệ ICeGaN (GaN chế độ tăng cường tích hợp mạch) bổ sung mạch giao tiếp thông minh ngay trên die GaN, nhờ đó transistor có thể được điều khiển bằng gate driver silicon tiêu chuẩn như MOSFET và không cần điện áp âm để ngắt. Danh mục gồm HEMT và IC công suất ICeGaN 650 V, trong đó có linh kiện cho ô tô với điện trở dẫn 9 mOhm, hướng tới bộ sạc, nguồn công nghiệp, nguồn 800 VDC cho trung tâm dữ liệu AI và biến tần xe điện. Khách hàng là nhà sản xuất bộ nguồn, hệ thống trung tâm dữ liệu và ô tô.

• HEMT ICeGaN: transistor GaN chế độ tăng cường 650 V điều khiển như MOSFET.
• Giao tiếp tích hợp: mạch trên chip loại bỏ nhu cầu điện áp cổng âm.
• Linh kiện ô tô: ICeGaN 650 V với điện trở dẫn 9 mOhm cho hệ truyền động xe điện.
• Trung tâm dữ liệu: IC công suất cho kiến trúc nguồn 800 VDC của trung tâm dữ liệu AI.
• Truy xuất: mã vạch 2D riêng trên từng linh kiện hỗ trợ độ bền quy trình và độ tin cậy.
• Hỗ trợ thiết kế: thiết kế tham chiếu, whitepaper và hỗ trợ kỹ thuật cho khách hàng.

Nhà sản xuất bộ nguồn hoặc bộ sạc tại Việt Nam có thể dùng ICeGaN để chế tạo adapter và bộ nguồn công nghiệp nhỏ gọn, hiệu suất cao hơn. Đơn vị vận hành trung tâm dữ liệu hoặc tích hợp rack máy chủ có thể đánh giá khối nguồn dùng GaN. Hãng xe điện hoặc xe máy điện có thể thử nghiệm GaN cho bộ sạc tích hợp và biến tần.

Nhà thiết kế có thể thay MOSFET silicon bằng GaN mà không cần thiết kế lại mạch lái cổng, vì ICeGaN chạy với driver tiêu chuẩn. Công ty công bố hiệu suất trên 99% và tiết kiệm năng lượng tới 50% trong ứng dụng công suất lớn như xe điện và bộ nguồn trung tâm dữ liệu. Tần số chuyển mạch cao hơn với tổn hao thấp hơn cho phép bộ chuyển đổi nhỏ và nhẹ hơn. Chức năng bảo vệ và chức năng thông minh tích hợp giúp bền bỉ hơn so với GaN rời.

Trung tâm dữ liệu AI, hệ truyền động xe điện và bộ sạc nhanh đang đẩy chuyển đổi công suất tới hiệu suất và mật độ cao hơn, nơi GaN thay thế silicon và cạnh tranh với SiC. Châu Á tập trung phần lớn hoạt động sản xuất bộ nguồn và bộ sạc, và ngành lắp ráp điện tử cùng xe điện đang tăng trưởng của Việt Nam là một phần của chuỗi cung ứng này.

Tách ra từ Đại học Cambridge năm 2016. Văn phòng tại Cambridge (Anh) và Lâm Khẩu, Tân Bắc (Đài Loan). Tháng 2/2025 gọi vốn Series C 32 triệu USD do một nhà đầu tư chiến lược dẫn dắt cùng British Patient Capital, nâng tổng vốn lên 62 triệu USD. Có hợp tác dài hạn với NXP Semiconductors và thỏa thuận phát triển biến tần với IFP Energies nouvelles.